Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (15) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Balabai R$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 14 Представлено документи з 1 до 14 |
|||
| 1. | 
Balabai R. M. Ribological characteristics of the diamond-like carbon films covered by hydrogen or fluorine: ab initio calculations [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, A. G. Barilka // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 6-16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_3 | ||
| 2. | 
Balabai R. The First Principal Calculation of The Electronic Structure of The Ge Strained Layers and the Set of Ge Islands on (001) Si Film [Електронний ресурс] / R. Balabai, D. Ryabchikov // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 629-632. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_16 Досліджено електронні властивості напружених шарів Ge (3 моношари із 24 атомів на елементарну комірку) на плівці (001) Si (2 моношари із 16 атомів на елементарну комірку) та масив пірамідальних островків Ge (3 моношари із 7 атомів на елементарну комірку) на плівці (001) Si авторським пакетом комп'ютерних програм, що основані на теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу та надають змогу одержати основний стан електронної підсистеми. Ці атомні системи є учасниками процесу переходу від 2D епітаксіального росту механічно напружених гетероструктур до 3D росту наноострівців. В результаті досліджень встановлено суттєву просторову локалізацію зарядової густини в Ge острівцях у порівнянні з неперервними напруженими плівками Ge. Вона проявлялася в тому, що залишки електронної густини ще спостерігалися на відстані 3,6 ангстрем від поверхні плівки Ge, тоді як ця відстань від вершин Ge острівців була тільки 2,4 ангстрем. Стосовно енергетичного спектра електронів у масиві островків Ge на плівці Si, спостережено перекриття валентних зон і зниження їх вершин. | ||
| 3. | 
Balabai R. M. The choice of silicon nanostructures for CH4 detection: ab-initio calculation [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, P. V. Merzlikin // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2014. - Т. 12, Вип. 4. - С. 743-750. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2014_12_4_9 Теоретически исследована методами из первых принципов чувствительность кремниевых наноструктур к адсорбции молекул CH | ||
| 4. | 
Balabai R. M. Tuning of Electron States of Transition Metal’s Catalysts Using Acceptor’s Atoms: ab initio Calculation [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, D. Yu. Gritsulia, V. G. Litovchenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02007-1-02007-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_9 За допомогою методів теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторовий розподіл густини валентних електронів і електронного енергетичного спектра для малих кластерів із атомів Cu, Ni, Co, О, Si, з метою визначити механізми їх високої каталітичної активності. Електронні рівні каталізатора визначають напрям хімічної реакції. Встановлено, що організацію електронних станів нанокаталізаторів на основі перехідних металів можливо контролювати шляхом зміни просторової організації кластерів і додавання електронегативних атомів. | ||
| 5. | 
Balabai R. M. Electronic properties of functionalized graphene nanoribbons [Електронний ресурс] / R. M. Balabai // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 4. - С. 389-397. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_4_14 За допомогою методів функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів та електронні енергетичні спектри для графенових нанострічок, декорованих воднем, фтором або киснем. Продемонстровано відкриття забороненої зони для графенових нанострічок шириною в 9,23 ангстрем із зигзагоподібним краєм, за її відсутності у необмеженій графеновій площині. Заборонена зона зі збільшенням ширини графенових нанострічок зменшується. Для графенових нанострічок, декорованих по краях воднем, заборонена зона зникає. Продемонстровано, що взаємодія атомів водню з атомами вуглецю площини графенових нанострічок, що координовані відповідно до sp | ||
| 6. |
Balabai R. M. Activation of catalytic properties of metal nanoclusters [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, T. I. Gorbanyuk, V. G. Litovchenko, H. N. Chernikova // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 7. - С. 726-731. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_7_12 | ||
| 7. |
Barylka A. G. Graphene wetting by methanol or water [Електронний ресурс] / A. G. Barylka, R. M. Balabai // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 10. - С. 1049-1054. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_10_10 | ||
| 8. | 
Balabai R. M. Electronic properties of graphene/ZnO 2D-2D composite [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, A. V. Zdeshchyts, D. V. Zalevskyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 1. - С. 65-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_1_9 Within the framework of methods of the electron density functional and the ab initio pseudopotential, we have obtained the spatial distributions of the valence electrons density, the electron energy spectra and the Coulomb potential for model composite structures consisting of graphene or graphene oxide and ZnO. They were computed using the above methods with the author's program complex. It has been determined that composite structures made of graphene and ZnO are more energy efficient to be formed with oxygen atomic plane of ZnO to graphene. Composite structures of graphene oxide and ZnO are more energy efficient as compared to composites on graphene. | ||
| 9. | 
Balabai R. M. Nanocellulose as the main composite component of electromechanical sensors [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, A. V. Zdeshchyts // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 9. - С. 828-835. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_9_10 За допомогою методів теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів, використовуючи авторський програмний комплекс, розраховано просторові розподіли густини валентних електронів, густину електронних станів, ширину забороненої зони, валентної зони та значення зарядів в околі ядра атомів для модельних композитних структур на основі наноцелюлози під механічним впливом. Встановлено, що електронні властивості структур на основі наноцелюлози можна регулювати, наприклад, шляхом змін відстаней між шарами композитних компонентів за механічного впливу. | ||
| 10. |
Balabai R. M. Nanocellulose as the main composite component of electromechanical sensors [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, A. V. Zdeshchyts // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 9. - С. 828-835. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_9_10 За допомогою методів теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів, використовуючи авторський програмний комплекс, розраховано просторові розподіли густини валентних електронів, густину електронних станів, ширину забороненої зони, валентної зони та значення зарядів в околі ядра атомів для модельних композитних структур на основі наноцелюлози під механічним впливом. Встановлено, що електронні властивості структур на основі наноцелюлози можна регулювати, наприклад, шляхом змін відстаней між шарами композитних компонентів за механічного впливу. | ||
| 11. |
Balabai R. M. Use of the Adsorbed Organic Molecules as Dopants for Creation of the Built-in Lateral p-n Junctions in a Sheet of Black Phosphorene [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, A. G. Solomenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05033-1-05033-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_35 Розглянуто питання створення вбудованих латеральних p-n переходів у листі чорного фосфорену (ЛЧФ) з використанням адсорбованих органічних молекул як легуючих домішок. У межах методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, заборонені зони та заряди на атомних остовах у ЛЧФ. Спостережено однорідний розподіл густини валентних електронів у ЛЧФ. Адсорбція молекул карбаміду для різноманітних типів локалізації на поверхні ЛЧФ призвела до перерозподілу електронної густини в ньому. Області заряду більшої густини в ЛЧФ з адсорбованими молекулами карбаміду локалізувалися під атомами молекул карбаміду, утворюючи загальну область підвищеної концентрації електронної густини. Віддалення молекул призвело до зменшення їх впливу на перерозподіл густини валентних електронів у ЛЧФ. Нагромадження електричного заряду в ЛЧФ на ділянках під молекулами карбаміду в свою чергу спричинило виникнення областей у ЛЧФ, в яких заряди на атомних остовах змінювали знак на протилежний. Однорідність розподілу електронної густини в ЛЧФ зникла і утворилися ділянки просторового заряду різного знаку. Такі області з зарядами різних знаків створюють умови, які є основною характеристикою p-n-переходів. Також було встановлено, що адсорбція в ЛЧФ молекулами карбаміду призвела до зміни провідності ЛЧФ. | ||
| 12. |
Balabai R. M. Methodology of converting of the coordinates of the basis atoms in a unit cell of crystalline b -Ga2O3, specified in a monoclinic crystallographic system, in the laboratory cartesian coordinates for computer applications [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, M. V. Naumenko // Фотоэлектроника. - 2020. - № 29. - С. 12-20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2020_29_4 | ||
| 13. |
Balabai R. M. Mechanical modification of electronic properties of ultrathin β-Ga2O3 films [Електронний ресурс] / R. M. Balabai, V. M. Zdeschits, M. V. Naumenko // Ukrainian journal of physics. - 2021. - Vol. 66, № 12. - С. 1048-1057. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2021_66_12_7 | ||
| 14. | 
Solomenko A. G. Functionalization of quasi-two-dimensional materials: chemical and strain-induced modifications [Електронний ресурс] / A. G. Solomenko, R. M. Balabai, T. M. Radchenko, V. A. Tatarenko // Progress in physics of metals. - 2022. - Vol. 23, № 2. - С. 147-238. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |